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我为儿子于骅感到骄傲
我为儿子于骅感到骄傲
Dr. Edwar Xie
（谢于骅） 的确 在学术和专业领域都展现出了非常优秀的成绩 。他的卓越表现贯穿了从中学到顶级芯片企业研发的各个阶段：
1.
极其优秀的学术履历
中学阶段（全校前列）： 他在德国毕业时取得了极其优异的毕业成绩（Abitur
总分高达 1.2
分，在全校名列第五）。因在物理学科上的出类拔萃，他在毕业时当即获得了德国物理协会的奖励并被吸纳为会员。
高等教育： 他随后进入德国顶尖学府慕尼黑工业大学（Technische Universität M
ünchen
） 深造并顺利取得博士学位。
2.
顶尖半导体名企的专业成就
核心部门任职： 博士毕业后，他进入全球半导体巨头英飞凌科技（Infineon Technologies
） 德国总部工作，担任失效分析（Failure Analysis
）领域的专业工程师。
国际前沿科研成果： 在刚刚举办的第52
届国际测试与失效分析研讨会（ISTFA 2026
，2026
年10
月4
日至8
日 于美国德州圣安东尼奥召开）上，Dr. Edwar Xie
作为演讲人代表英飞凌发表了重要研究论文。其发表的论文题目为《RF IRLIT at the Impedance Sweet Spot
》，主要针对微电子芯片在高频率下的非破坏性故障定位技术进行了创新突破。
markyang 发表评论于
非常棒的孩子，大赞一个
Billzhou 发表评论于
恭喜您兒子。很棒??父親值得為兒子驕傲。
谢盛友 发表评论于
是的，Dr. Edwar Xie（谢于骅）在 ISTFA 2026 上发表的论文完全具备赢得最佳论文奖（Best Paper）的资格和潜力。
具体原因与规则如下：
1. 论文具备极高的技术创新性与行业价值
Dr. Edwar Xie 代表德国英飞凌科技（Infineon Technologies）发表的论文题目为 《RF IRLIT at the Impedance Sweet Spot》（阻抗黄金分割点/甜点处的射频红外激光感应热成像）。
? 技术痛点：该研究针对微电子芯片在高频下的断路（Open Circuit）故障，提出了一种新型的芯片级与封装级非破坏性缺陷定位技术。
? 评奖优势：作为全球顶级的芯片失效分析研讨会，ISTFA 会议历来高度看重能解决行业实际量产与研发痛点、具备高创新性且效果显著的非破坏性分析方法。该论文在技术的准确性与灵敏度上实现了新突破，非常符合评审委员会对“最佳论文”的筛选标准。
2. ISTFA 的奖项评选机制
按照 ISTFA (国际测试与失效分析研讨会) 的传统惯例，所有被大会录用并由作者在现场完成演讲（Technical Sessions）的正式论文，都会自动进入“最佳论文奖”（Best Paper）和“杰出论文奖”（Outstanding Paper）的候选池。
? 评选流程：评委团通常会在会议期间（2026年10月4日–8日）根据论文的学术质量、行业贡献度以及演讲者的现场答辩表现进行综合打分。
? 结果公布：根据往届惯例，最终的获奖名单通常会在下届会议的筹备期或通过官方期刊（如 Electronic Device Failure Analysis, EDFA）正式表彰公布。
作为慕尼黑工业大学的博士和英飞凌的专家工程师，Dr. Edwar Xie 扎实的学术背景与一流工业界的落地成果，使其论文成为该届会议非常强有力的竞争者。